2012年北京市科学技术奖昨日揭晓，在184项获奖成果中，包括超大规模集成电路65-40纳米成套产品工艺研发与产业化、高场电磁装备设计理论和关键技术及应用等一批涵盖电子信息、节能环保、生物医药、新能源、新材料等战略性新兴产业领域的成果超过半数。这是记者从昨日召开的北京市科学技术奖励大会暨2013年北京市科技工作会议上获悉的。

本年度科学技术奖中，一等奖有27项，二等奖有53项，三等奖有104项。其中由中国科学院电工研究所等单位联合完成的一等奖获奖项目“高场电磁装备设计理论和关键技术及应用”，解决了高场电磁装备的多项关键技术难题，将科学仪器、大型电磁装备与国防特种装置等装备推向实用化，已转化到三家公司产业化，近三年直接经济效益1.5亿元，间接效益7亿元，提升了我国国防特种装备和仪器的水平。目前，高场静磁装备在国家高技术领域中占有重要战略地位，我国年需求近50亿元，迄今为止全球只有美国、英国、日本和中国等少数几个国家掌握全套技术。

北京市科学技术委员会主任闫傲霜表示，这些成果积极服务于国家和首都创新战略，大幅提升了首都自主创新能力，使首都在创新型国家建设中的作用更加突出。据了解，北京市科学技术奖每年评审奖励一次。2002-2012年共有2507项成果获得了政府奖励。

（来源：北京商报）